), дважды перекристаллизованной, что дает уменьшение примесей не менее, чем в 10 раз, т.е. их содержание в результате перекристаллизации: Fe $ 10 % и Ni 2. Кроме тбго, при осаждении из раствора, вследствие разницы стандартных электродных потенциалов в водных растворах относительно н.в.э. (Cu/Cu2+ это UfCu24) + 0.337 В; для Ре/Ре3+это U(Fe34},036 В и для Ni/Ni2+ это U(Ni24).25 В - Гальванические покрытия в машиностроении. Справочник, т.1, М., Машиностроение, 1985 г., стр. 25), мы имеет теоретическую разницу в осаждении железа Fe3+ по отношению к меди Си2+ exp{e U(Fe34)-U(Cu24)l/kT} - 3,9 (для Fe2+ U(Fe24,44 В и эта разница 44 ) и Ni по отношению к меди Си exp{e U(NI24hl(Cu24),2 10 11 Для примера гальваническое осаждение используется для рафинирования меди. В обычных условиях (без принятия дополнительных мер, таких как обеспыливание и использова- ние полупроницаемой перегородки у анода для предотвращения попадания в раствор шлама, образующегося у анода) получается гарантированное уменьшение примесей на три порядка, т.е. содержание примесей в покрытии: Fe, Ni 2. Хотя зависимость величины паразитного сигнала от содержания примесей ферромагнитных металлов определялась в одном элементе высокочастотной части, требова- ния к содержанию примесей в других элементах такие же, если в них протекают высокочастотные токи частоты возбуждения такой же величины, как в катушке 3 (соответственно этими токами создаются такие же высокочастотные магнитные поля на поверхности этих элементов). Таким образом, в предлагаемом устройстве для исследования магнитных свойств веществ за счет подключения дополнитель- ных элементов и особого выполнения основных элементов на 80-90 дБ уменьшается паразитный сигнал, что приводит к повышению чувствительности устройства на четыре порядка величины. Указанные технические преимущества устройства ведут также к повышению информативности и достоверности исследований. Формула изобретения 1. Устройство для исследования магнитных свойств веществ, содержащее электромагнит постоянного тока с катушками развертки магнитного поля, в межполюсном зазоре которого расположены ампула для исследуемого образца и высокочастотная катушка индуктивности, подключенная параллельно последовательному контуру в виде катушки индуктивности с витком связи и конденсатора подстройки на частоту второй гармоники, высокочастотный генератор, выход которого подключен к входу элемента связи, конденсатор подстройки на частоту первой гармоники, первый вывод которого соединен с первым выводом высокочастотной катушки индуктивности и общей шиной, последовательно соединенные фильтр высоких частот, приемник, цифровую систему регистрации и накопления сигналов и усилитель мощности, выход которого подключен к катушкам развертки магнитного поля электромагнита постоянного тока, причем выводы витка связи катушки индуктивности последовательного контура соединены с входами фильтра высоких частот, а высокочастотная катушка и катушка индуктивности последовательного контура выполнены с системами термостабилизации, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, оно снабжено параллельным контуром в виде воздушной индуктивности с системой термостабилизации и конденсатора, подключенным между вторыми выводами высокочастотной катушки индуктивности и конденсатора подстройки на частоту первой гармоники, выводы которого соединены также с выходами элемента связи, причем высокочастотная катушка индуктивности и катушка индуктивности с витком связи последовательного контура выполнены воздушными, системы термостабилизации выполнены с тепловыми экра- нами, а высокочастотная катушка индуктивности, катушки индуктивности и конденсаторы последовательного и параллельного контуров, элемент связи, конденсатор подстройки на частоту первой гармоники, соединительные проводники и внутренние поверхности тепловых экранов систем термостабилизации выполнены с проводящим покрытием, содержание СПр примесей ферромагнитных металлов и толщина А которого удовлетворяют условиям СПр. -Ј 9,6 НГ2 (Т Д f л F) Д 2/(я a -ju о) }} 1/2 где Hi - амплитуда высокочастотного магнитного поля на поверхности соответствующего э лемента, Э; Т - температура входного активного элемента приемника, К; F - шум-фактор первого активного элемента приемника, дБ; A f - полоса пропускания приемника, Гц; Д - толщина проводящего покрытия, м; о удельная электропроводность проводящего покрытия, fi - магнитная проницаемость проводящего покрытия, Гн/м; (о - циклическая частота первой гармо- ники, рад/с. 23 УМ ялт и. л сГ цля образца CJ 2,Устройство поп, 1,отличающее- с я тем, что элемент связи выполнен в виде емкостного делителя, средняя и крайние точки которого подключены к входу и выходам элемента связи соответственно, 3.Устройство по п. 1,отличающее- с я тем, что ампула для исследуемого вещества выполнена из диэлектрического материала с тангенсом угла tg0 диэлектрических потерь и содержанием Спр примесей ферромагнитных металлов, удовлетворяющих условиям F)1 tg 0 «5 СпрЈ9,6 10 Hf2 (Т. cw2 ш -У- т 10 22 М 2 IO-4 Я/М$5 60 70 сС.тО 10 100200 Фиг. За Н0(э) Фиг. 36"/>