amp;5nЈj Jt & x.. X V / / Л Л tpvel /4 rz I 26 Tb 12 T zrzrZTZ7Z / / / 6 JA 12 В N/ p{/&3 IS Г6 2 9 23 б 22 f4 12 (pv#4 / Л tpvel /4 rz 13 ( Z3 ЛУ I /j 9 10 и ж 9 гз в 22 rf 6 2 Я 12 ф#а5 1 «f Ј $SS$S$i Л mm М 18 /б ы / у,16.17 18 / А 21 1 фа.7 гд / 39 Шт18 16 26 t7 Т 21 V/ в 1 фиг. 9 -32 б 35 rY VV ч. V (ptfffff / 17 // Ь5 Л 14 -w б W ф&е. f7 ШШз-w г 0W 18 #2 А iSSSSSs 14 13 /7"/>SU1828560A3 - Способ изготовления полупроводниковых приборов - Яндекс.Патенты